重大技術突破-8吋4μm-15μm超厚場氧化層的立式高溫氧化爐

1. 大陸首台國產設備 

✅ 成功研製大陸國內首台支援 4μm-15μm超厚場氧化層的8吋立式高溫氧化爐，打破高階厚膜氧化設備長期被國際廠商壟斷的局面。

2. 全面性製程能力

• 覆蓋光導波通訊晶片核心製程：在矽基板與鈮酸鋰鍵合前，製備超厚氧化層（SiO₂）作為隔離介質，是矽光子積體電路（PIC）晶片的關鍵環節。

• 支援 8吋SiC元件的1350°C高溫閘極氧化製程，切入第三代半導體製造賽道。

3. 穩定性與效率雙優 

• 已建立超厚場氧化層4~12μm全厚度BKM製程套件（穩定量產配方），均勻性 <1.5%（達國際一級水準）。

• 單輪製程時間 <100小時/12μm，顯著提升量產經濟性。

4.市場應用價值

應用領域	技術價值
光通訊晶片	解決矽-鈮酸鋰異質集成中厚膜場氧化層的生長及均勻性難題，助力高速光模組大陸國產化。
功率半導體(SiC)	突破 SiC MOS 高溫閘極氧化製程設備瓶頸，滿足車規級元件對氧化層可靠性的嚴苛要求。
MEMS/感測器	為高壓隔離、深槽填充等特殊結構提供厚氧化層解決方案。

5. 我們的核心優勢：

• 2024年12月新建投產的千級無塵室保障製程純淨度

• 製程極限：4μm~15μm全厚度覆蓋 + 1350°C高溫能力

• 量產指標：超長製程時間下的高均勻性（<1.5%）

• 大陸國產替代：填補國內厚膜場氧化設備空白

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