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第三類半導體材料通常指的是氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）等材料。

 

        1.氮化鎵（GaN）：

        氮化鎵是一種寬能隙半導體材料，廣泛應用於高功率電子器件和光電器件中。

        在電子器件方面，GaN可用於高頻功率放大器、射頻開關、功率轉換器等。

        在光電器件方面，GaN可用於發光二極體（LED）、雷射二極體（LD）等。

 

         2.碳化矽（SiC）：

​        碳化矽是一種寬能隙半導體材料，同樣具有高電子遷移率和熱穩定性。

        在功率電子器件方面，SiC可用於製造高壓、高頻率的功率開關器件，如MOSFET、IGBT等。

        SiC還用於製造高溫、高功率、高頻率的功率模組，可應用於輸電線路、電動車輛、太陽能逆變器等。